GB／T 14844-2018 标准规范下载简介

GB／T 14844-2018 半导体材料牌号表示方法

ICS29.045 H 80

GB/T148442018 代替GB/T14844—1993

DB32／T 991-2022 电能计量装置配置规范.pdf半导体材料牌号表示方法

gnations of semiconductor materials

GB/T14844—2018

本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T14844一1993《半导体材料牌号表示方法》，与GB/T14844一1993相比主要技术 化如下： 一修改了范围中本标准适用性的描述（见第1章，1993年版的第1章）； 将原3.1.1中生产方法和用途分成两项，并对牌号表示方法排序进行调整，名称为第一项，生 产方法为第二项（见3.1.1，1993年版的3.1）； 删除了多晶生产方法中的“铸造法”，增加了“T表示三氯氢硅法”、“S表示硅烷法”、“F流化床 法”和其他生产方法表示形式参照以上方法进行”（见3.1.3，1993年版的3.1.1）； 修改了“N表示块状”为“C表示块状”，并增加了“G表示颗粒状”和“其他多晶形状表示形式 参照以上方法进行”（见3.1.4，1993年版的3.1.3）； 增加了“E表示电子级用途”和“S表示太阳能级用途”（见3.1.6）； 调整了单晶牌号表示方法排序（见3.2.1，1993年版的3.2）； 增加了示例“如硅单晶Si、砷化镓单晶GaAs、碳化硅单晶SiC、锗单晶Ge、锑化铟单晶InSb、磷 化镓单晶GaP和磷化钢单晶InP等”（见3.2.2）； 增加了“C表示铸锭法”（见3.2.3）； 增加了导电类型示例“例如N型导电类型掺杂元素有磷P、锑Sb、砷As，P型导电类型掺杂元 素有硼B，区熔气相掺杂用FGD表示等”（见3.2.4）； 增加了示例“例如晶向<111>、<100>和<110>等”（见3.2.5）； 增加了示例“如硅片Si、砷化镓片GaAs、碳化硅片SiC、锗片Ge、锑化钢片InSb、磷化镓片GaP 和磷化钢片InP等”（见3.3.2）； 增加了“SCW表示太阳能切割片”（见3.3.4）； 调整了外延片牌号表示方法排序（见3.4.1，1993年版的3.4）； 增加了示例“如硅外延片Si、砷化外延片GaAs、碳化硅外延片SiC、锗外延片Ge、锑化铟外 延片InSb、磷化镓外延片GaP和磷化铟外延片InP等”（见3.4.2）； 增加了牌号中字母表示方法（见附录A）。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 支术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本标准起草单位：浙江省硅材料质量检验中心、有色金属技术经济研究院、有研半导体材料有限公 浙江海纳半导体有限公司、东莞中镓半导体科技有限公司、南京国盛电子有限公司、江苏中能硅业科 发展有限公司、苏州协鑫光伏科技有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司。 本标准主要起草人：楼春兰、毛卫中、杨素心、汪新华、邹剑秋、孙燕、潘金平、刘晓霞、马林宝、宫龙飞、 雪、丁晓民、贺东江。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： /T142441002

GB/T148442018

半导体材料牌号表示方法

本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示方法。 本标准适用于半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示，其他半导体材料牌 执行。

按照晶体结构和产品形状，半导体材料牌号分为多晶、单晶、晶片和外延片四类，牌号中涉及的字母 含义参见附录A。

3.1.1多晶的牌号表示为：

具中： 1、2、3、4、5分别代表牌号的第一项至第五项

a）T表示三氯氢硅法； b）S表示硅烷法； c R表示还原法； d）Z表示区熔法； e）F表示流化床法； f）其他生产方法表示形式参照以上方法进行。 1.4牌号的第三项表示多晶的形状，用英文第一个字母的大写形式表示，其中： a）I表示棒状； b）C表示块状； c) G表示颗粒状； d）其他多晶形状表示形式参照以上方法进行

a）I表示棒状； b）C表示块状； c）G表示颗粒状； d）其他多晶形状表示形式参照以上方法进行

a）E表示电子级用途； b）S表示太阳能级用途； c）IR表示红外光学用途； d）其他用途表示形式参照以上方法进行。

3.1.8多晶的牌号表示见示例1~示例4

3.2.1单晶的牌号表示为：

3.2.2牌号的第一项用分子式表示单晶的名称，如硅单晶Si、砷化镓单晶GaAs、碳化硅单晶SiC、锗单

a）CZ表示直拉法； b） FZ表示悬浮区熔法； c HB表示水平法； d）LEC表示液封直拉法； e MCZ表示磁场拉晶法； f C表示铸锭法； g） 其他生产方法表示形式参照以上方法进行。 2.5 牌号的第四项用密勒指数表示晶向，如晶向<111>、<100>和<110>等 .2.6 若单晶不强调生产方法或不掺杂时，其牌号的相应部分可省略，省略部分用N/A表示。 27单目的临日

3.3.1晶片的牌号表示为：

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1、2、3、4、5分别代表牌号的第一项至第五项， 3.3.2牌号的第一项用分子式表示晶片的名称，如硅片Si、砷化镓片GaAs、碳化硅片SiC、锗片Ge、锑 化钢片InSb、磷化片GaP和磷化钢片InP等。 3.3.3牌号的第二项表示晶片的生产方法，其表示方法同3.2.3。 3.3.4牌号的第三项表示晶片种类，用英文第 一个字母组合的大写形式表示，其中

3.3.2牌号的第一项用分子式表示晶片的名称，如硅片Si、砷化镓片GaAs、碳化硅片SiC、锗片Ge、锑

a）Cw表示切割片； b LW表示单面研磨片； c) DLW表示双面研磨片； EtW表示腐蚀片； e） PW表示单面抛光片； f) DPW表示双面抛光片； g) DW表示扩散片； AW表示退火片； i） SCW表示太阳能切割片； i 其他晶片种类表示形式参照以上方法进行。 3.5 牌号的第四项中用N或P表示导电类型，括号内元素符号表示掺杂剂。例如N型导电类型掺

3.3.6牌号的第五项用密勒指数表示晶向TB／T 2965-2018 铁路桥梁混凝土桥面防水层，如晶向<111》、<100>和<110>等。 3.3.7 若晶片不强调晶体生产方法，或晶体不掺杂时，其牌号的相应部分可省略，省略部分用N/A 表示。

3.3.8晶片的牌号表示见示例1~示例2

3.4.1外延片的牌号表示为

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其中： 1、2、3、4分别代表牌号的第一项至第四项。 3.4.2牌号的第一项用分子式表示外延片的名称，如硅外延片Si、砷化镓外延片GaAs、碳化硅外延片 SiC、锗外延片Ge、锑化钢外延片InSb、磷化外延片GaP和磷化钢外延片InP等。 3.43一牌号第二项表示外延片的生产方法用苗立第一个字母组合的大写形式表示，其中

d）MOCVD表示金属有机化合物化学气相沉积。 4牌号的第三项表示外延片的结构，括号内用元素符号表示衬底掺杂剂，如掺磷P、掺锑Sb、掺碑 掺硼B等。其中： a）n/n+表示在n+型衬底上生长N型外延层； b）p/p+表示在p+型衬底上生长P型外延层； c）n/p(或p/n)表示在P型（或N型）衬底上生长导电类型相反的外延层； d）n/I或p/I)表示在绝缘衬底上生产N型（或P型)外延层； e）n/p/n表示在N型衬底上先生长P型外延层，再生长N型外延层，其他多层外延片结构的表 示方法以此类推； n/SI表示在半绝缘衬底上生产N型外延层。 5一随品的管m项用您谢华新主元息向如息向/111一/100和/110等

.6外延片的牌号表示见示例1～示例2

DB35／T 1844-2019 高速公路边坡工程监测技术规程附录A （资料性附录） 半导体材料牌号中字母表示方法 半导体材料牌号中字母表示方法见表A.1。