DB61／T 512-2011标准规范下载简介

DB61／T 512-2011 太阳电池用单晶硅片检验规则

ICS27.160 F12

DB 61/ T 5122

陕西省质量技术监督局 发布

DB61/ I 5122011

本标准参考SEMIM6一2008《太阳光伏电池用硅片规范》、GB/T12965一2005《硅单晶切割片和研 磨片》，结合国内外晶体硅片现状及发展趋势制定。 本标准由陕西电子信息集团有限公司提出。 本标准由陕西省工业和信息化厅归口。 本标准由陕西电子信息集团有限公司、陕西电子信息集团西安烽火光伏科技股份有限公司、陕西华 山半导体材料有限责任公司、西安隆基硅材料股份有限公司共同负责起草。 本标准主要起草人：牛军旗、柳军、李拉平、孙涛、王师、焦致雨、皇甫国、张超、赵可武 本标准由陕西省工业和信息化厅负责解释。 本标准为首次发布GB/T 34315.1-2022 小艇 气胀式救生筏 第1部分：I型，

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太阳电池用单晶硅片检验规则

本标准规定了太阳电池用单晶硅片技术要求、试验方法和检验规则等内容。 本标准适用于太阳电池用单晶硅片 简称硅片）的检验

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T1550一1997非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1553一2009硅和锗体内少数载流子寿命光测定电导衰减法 GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555一2009半导体单晶晶向测定方法 GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T6617 硅片电阻率测定扩展电阻探针法 GB/T6618一2009硅片厚度和总厚度变化的测试方法 GB/T6619—2009 硅片弯曲度测试方法 GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 SEMIMF1535一2007微波反射无接触光电是

下列术语和定义适用于本文件。 3.1 线痕sawmark 硅片在线切割过程中产生的切割痕迹。 3.2 径向电阻率变化radialresistivitytolerance 晶片中心点与偏离晶片中心的某一点或若于对称分布的设置点（典型设置点是晶片半径的1/2处或 靠近晶片边缘处）的电阻率之间的差值。这种电阻率的差值可以表示为测量差值除以中心值，以百分数 表示。又称径向电阻率梯度。

晶片厚度 thickness of slices

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晶片中心点的厚度。对于本标准为硅片厚度。

总厚度变化（TTV） total thickness variation 晶片厚度的最大值与最小值间的差。

总厚度变化（TTV） total thickness variation 晶片厚度的最大值与最小值间的差。

一般为准正方形硅片，规格125mm×125mm型、156mm×156mm型，如图1所示。尺寸要 或者根据实际使用，供需双方商定

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硅单晶晶体完整性由位错密度指标反映，其位错密度应不大于3000个/平方厘米。

硅单晶晶向及偏离度要求见表3

在检验面光照度不小于800Lx、硅片距双眼约30cm～50cm距离条件下，用游标卡尺（精度0.02mm 测量或目测。

规格及尺寸用游标卡尺（精度0.02mm）、直角尺、塞尺等测量

5.3硅片厚度和总厚度变化

硅片翘曲度测量按GB/T662

CJJ／T 290-2019 城市轨道交通桥梁工程施工及验收标准（完整正版、清晰无水印）硅片翘曲度测量按GB/T662

硅片电阻率测量按GB/T6617规定的方法进

片径向电阻率变化测量按GB/T11073规定的方法

少数载流子寿命测试按GB/T1553—2009附录A——高频光电导衰减法或SEMIMF1535—2007规定的 方法进行。

硅单晶晶体完整性测试按GB/T1554规定的方法进行

以批的形式提交验收，每批应由同一牌号，相同

GB 50854-2013 房屋建筑与装饰工程工程量计算规范(完整清晰正版)DB61/ I 5122011

出厂检验项目包括硅片表面质量、规格及尺寸、厚度和总厚度变化、电阻率、径向电阻率变化 4）。产品应经生产企业质检部门检验合格，并签发合格证后方可出厂