GB/T 39325-2020 超导回旋质子加速器辐射屏蔽规范.pdf

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标准类别:电力标准
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GB/T 39325-2020 超导回旋质子加速器辐射屏蔽规范.pdf

GB/T 39325—2020

ecification for radiation shielding of superconducting proton cyclotron

ation for radiation shielding of superconducting proton cyclotron

T/CDHA506-2022 区域供冷系统设计标准及条文说明.pdf国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会

本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准由全国核能标准化技术委员会(SAC/TC58)提出并归口。 本标准起草单位:合肥中科离子医学技术装备有限公司、中国科学院等离子体物理研究所 本标准主要起草人:宋云涛、徐坤、雷明准、陈永华、冯汉升、陆坤、李俊、丁开忠、刘璐、陈根、郑金星 魏江华、李实、杨庆喜、李君君、邢以翔、韩曼芬、黄漪

GB/T39325—2020

导回旋质子加速器辐射屏蔽规范

本标准规定了超导回旋质子加速器机房屏蔽的一 般要求、剂量率参考控制水平、屏蔽计算和辐射监 测等要求。 本标准适用于质子能量在70MeV~1000MeV范围内的超导回旋质子加速器的辐射屏蔽设计 也可用于质子能量在70MeV~1000MeV范围内的其他类型质子加速器的辐射屏蔽设计

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T4960.5核科学技术术语辐射防护与辐射源安全 GBZ/T202一2007用于中子外照射放射防护的剂量转换系数

GB/T4960.5界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 超导回旋质子加速器 superconductingproton cyclotron 采用超导磁体提供恒定导向磁场,利用常频电场加速,质子束流沿着螺旋轨道运动的圆形加速器 3.2 居留因子 occupancyfactor T 辐射源在出束时间内,在区域内最大受辐照人员驻留的平均时间占出束时间的份额。 3.3 使用因子 usefactor U 初级辐射束(有用束)向某有用束屏蔽方向照射的时间占总照射时间的份额。 3.4 束流损失beamloss 质子束流在形成、加速、引出、输运过程中,与加速器系统部件相互作用所导致的束流强度与束流能 量的部分损失或者全部损失。 3.5 次级中子secondaryneutron 质子与物质相互作用产生的中子。 注:一般情况下,次级中子包括级联中子和蒸发中子

4.2屏蔽所考虑的环境条件

4.2.1质子加速器机房一般应设置在单独的建筑内或作为建筑物底层的一端,质子加速器系统中靶室 和辅助机房的坐落位置应考虑周围环境与场所内驻留人员的状况及其可能的改变,并应根据相关安全 要求确定所需屏蔽。 4.2.2在设计和评价质子加速器机房屋顶或靶室屋顶的屏蔽时,应充分考虑天空散射辐射和侧散射辐 射对临近场所驻留人员的照射

4.3质子加速器机房和靶室的布局要求

4.3.1控制室应独立于质子加速器机房设置。质子加速器系统中辅助机械、电气、水冷设备等可以与 质子加速器主系统装置分离的设备,应尽量设置于质子加速器机房外。 4.3.2控制室、相邻靶室(多靶室系统中)等具有较大居留因子的用室,应尽量避开质子束可直接照射 到的区域。 4.3.3根据场所空间和环境条件,确定机房或靶室进出口的屏蔽措施。机房进出口采用迷道设计时, 迷道宽度应充分考虑安装与维护设备的通过。机房进出口采用防护门等非迷道式屏蔽手段时,应确保 屏蔽的有效性和可靠性

4.4缝隙、贯穿孔和其他薄弱环节的屏蔽考虑

4.4.1机房采用混凝土整体浇筑时,应采用合理的浇筑工艺,防止出现裂纹和过大的气孔。屏蔽墙体 存在预留安装口时,安装口填充物与已浇筑混凝土的交接处应尽量避免出现贯穿直缝,并评估缝隙对屏 蔽性能的影响 4.4.2机房屏蔽体采用预制件(混凝土块或钢板)时,交接处应尽量避免出现贯穿直缝,并评估缝隙对 屏蔽性能的影响。 1.4.3穿过屏蔽墙体的贯穿孔(包括通风、电气、水管等)应尽量避开控制台等人员高驻留区,并尽量采 用多次弯折设计,控制孔道的辐射泄露

5.2剂量率参考控制水平的确定

6.2屏蔽计算应考虑的因素

高能质子打靶会产生次级质子 加速器系 蔽设计只需要考虑次级中子。 件本身的屏蔽作用

GB/T 393252020

CECS 568-2018-T 金属印花装饰板应用技术规程质子相关参数包括: a)质子束流损失与利用的位置和方向; b)质子的能量范围; c)质子的束流强度范围

6.5次级中子源项估算

能量为70MeV~1000MeV的质子打击中等或高原子序数材料的次级中子产额Q(E)按公式(1) 估算:

Q(E) = 6 × (E/E。)0.63 × [1 e3.6X(E/Ee)1.6

式中: Q(E)一一次级中子产额,无量纲; E 人射质子能量,单位为兆电子伏(MeV); E。 基准能量,1000MeV。 次级中子的发射并不是各向同性的,距离打靶位置1m处,次级中子注量Φ(E,の)沿角度的分布 按公式(2)估算:

Φ(E,0)=CX (0/0.+40//E/E.)

DB35/T 1853-2019 垃圾焚烧发电锅炉内部检验规范H(E,0)=C X (0/8.+40//E/E.)

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